VLSI Schaltkreissimulation mit einem MOS-Tabellenmodell auf der Basis numerischer Bauelementsimulationen

Zusammenfassung

Die Zuverlässigkeit und die Genauigkeit der Simulation von MOS Transistornetzwerken wird entscheidend bestimmt von der Gültigkeit und der Genauigkeit der verwendeten Transistormodelle. Herkömmlicherweise werden in der Schaltungssimulation analytische Bauelementmodelle eingesetzt, die auf der „gradual channel approximation“ basieren. Die Genauigkeit dieser „klassischen“ analytischen Modelle nimmt jedoch beim Fortschreiten der Bauelementtechnologien mehr und mehr ab, da das Bauelementverhalten in zunehmendem Maße von parasitären Effekten, z.B. Kurzkaneleffekten, beeinflußt wird. Bei den immer kleiner werdenden Bauelementabmessungen verlieren die Modellparameter dieser analytischen Modelle ihre ehemals physikalische Bedeutung und degenerieren zunehmend zu bloßen „Fitting“ Parametern, was zur Folge hat, daß die Modelle ihre Vorhersagefähigkeit bezüglich geometrischer (z.B. Kanallänge) und technologischer (z.B. Kanalprofil) Änderungen verlieren. Dennoch wurden — und werden auch noch — Anstrengungen unternommen, um diese klassischen Modelle zu verbessern.