On the validity of a new extrinsic equivalent circuit including noise of HEMTs required for millimeter wave circuit design

Abstract

In this paper, we propose a reliable extrinsic equivalent circuit of high electron mobility transistor (hemt) to determine both the S and noise parameters in the millimeter wave range from characterizations performed below 40 GHz. Only three extrinsic elements have to be determined instead of eight (at least) in the case of the conventional equivalent circuit. We show the validity of the proposed extrinsic equivalent circuit by S parameters and noise figure measurements up to W band (75-110 GHz).

Résumé

Dans cet article, un circuit équivalent fiable pour les transistors à haute mobilité électronique (hemt) est propose. Grâce à ce nouveau circuit équivalent, on peut déterminer les paramètres S et les paramètres de bruit en ondes millimétriques à partir de caractérisations effectuées en dessous de 40 GHz. Ce modèle ne nécessite que la connaissance de trois éléments extrinsèques au lieu de huit au minimum dans le cas du schéma équivalent classique, et la validité d’un tel modèle par des confrontations avec des mesures de paramètres S et de facteurs de bruit jusqu’à la bande W (75-110 GHz) est démontrée.