Photoconductivity effects in polycrystalline silicon and optically controlled coplanar waveguide switch

Abstract

Photoconductivity effects in polysilicon are investigated and a simple model of gap inserted between two microwave transmission lines with semiconductor layer is proposed. Then a demonstrator based on an optically controlled microwave switch is studied. The microwave switch was fabricated by using a poly silicon layer deposited on the gap in a coplanar waveguide. Test results are compared with the model. Fabrication with polysilicon has the advantage of compatibility with standard Si processing methods and may be used for applications to monolithic integration of optical and microwave waveguides on silicon.

Résumé

La photoconductivité dans le polysilicium est étudiée et un simple modèle de ľespacement inséré entre deux lignes de transmission microondes avec une couche de semiconducteur est développé. Le but du modèle est de calculer ľépaisseur minimale du polysilicium nécessaire pour atteindre les performances optimales en fonction des variations de conductivité dans ľespacement, pour application à un commutateur microonde à commande optique. Ensuite, une maquette de commutateur microonde à commande optique est réalisée par une ligne coplanaire avec un espacement en polysilicium. Les résultats de test obtenus sont donnés et comparés au modèle. La technologie utilisée a ľavantage ďêtre compatible avec les procédés standard de fabrication de composants ssilicum et se prête aux applications dans les circuits intégrés optiques et microondes.