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Numerische Simulation Von Halbleiterbauelementen

  • Conference paper
Simulationstechnik

Part of the book series: Informatik — Fachberichte ((INFORMATIK,volume 85))

  • 247 Accesses

Zusammenfassung

Seit der Erfindung des integrierten Schaltkreises in den siebziger Jahren gewinnt die Modellierung von Halbleiterbauelementen stetig an Bedeutung. Speziell die Mikrominiaturisierung von Bauelementen, die für die sogenannte „Very Large Scale Integration (VLSI)“ eine Voraussetzung darstellt, erfordert eine rigorose Analyse des elektrischen Verhaltens der verwendeten Bauelemente, um den Anwendern von integrierten Schaltungen das gewünschte und geforderte Maß an Komplexität (mehr als 400.000 Transistoren pro integrierten Schaltkreis) und Zuverlässigkeit garantieren zu können.

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Literatur

  1. Franz AF, Franz GA, Selberherr S, Ringhofer C, Markowich P, “Finite Boxes - A Generalization of the Finite Difference Method Suitable for Semiconductor Device Simulation”, IEEE Trans.Electron Devices, Vol.ED-30, No. 9, pp. 1070–1082, (1983).

    Google Scholar 

  2. Schütz A, Selberherr S, Pützl HW, “Analysis of Breakdown Phenomena in MOSFET’s”, IEEE Trans.Computer-Aided-Design of Integrated Circuits, Vol.CAD-1, pp.77–85,(1982).

    Google Scholar 

  3. Selberherr S, Schütz A, Pötzl HW, “ MINIMOS - a Two-Dimensional MOS Transistor Analyzer ”, IEEE Trans.Electron Devices, Vol. ED-27, pp.1540–1550, (1980)

    Article  Google Scholar 

  4. Selberherr S, “Analysis and Simulation of Semiconductor Devices”, Springer, Wien New-York, (1984). Bild 2: Elektrostatisches Potential, lin., V

    Google Scholar 

  5. Van Roosbroeck WV, “Theory of Flow of Electrons and Holes in Germanium and Other Semiconductors”, Bell Syst.Techn.J., Vol.29, pp.560–607, (1950)

    Google Scholar 

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Authors and Affiliations

  1. Abteilung für Physikalische Elektronik, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, TU Wien, Österreich, Austria

    S. Selberherr & H. Pötzl

Authors
  1. S. Selberherr
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  2. H. Pötzl
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Editors and Affiliations

  1. Institut für Technische Mathematik, Technische Universität Wien, Wiedner Hauptstraße 8-10, A-1040, Wien, Austria

    Felix Breitenecker

  2. Hybriddrechenzentrum, Technische Universität Wien, Gußhausstraße 27-29, A-1040, Wien, Austria

    Wolfgang Kleinbert

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© 1984 Springer-Verlag Berlin Heidelberg

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Selberherr, S., Pötzl, H. (1984). Numerische Simulation Von Halbleiterbauelementen. In: Breitenecker, F., Kleinbert, W. (eds) Simulationstechnik. Informatik — Fachberichte, vol 85. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-69706-7_22

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  • Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg

  • Print ISBN: 978-3-540-13393-3

  • Online ISBN: 978-3-642-69706-7

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