Zusammenfassung
Es wird ein ereignisgetriebenes Modell zur Simulation von MOS-Transistornetzwerken vorgestellt. Es wird aufgezeigt, wie bidirektionale Verbindungen durch unidirektionale simuliert werden können. Zusätzlich zum logischen Wert eines Signals ist in der MOS-Technologie die Stärke zu beachten. Zur Darstellung von in Wert bzw. Stärke unbestimmten Situationen wird eine Menge von Werten verwendet, um trotz der unbestimmten Situation möglichst viel Information zur weiteren Simulation zur Verfügung zu haben. Es wird gezeigt, daß sich die benötigten Operationen effizient implementieren lassen.
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Lewke, KD. (1987). Ein ereignisgetriebenes Simulationsmodell für MOS-Schaltwerke. In: Halin, J. (eds) Simulationstechnik. Informatik-Fachberichte, vol 150. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-73000-9_34
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