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Microwave active resonator band-pass filters in various mmic technologies

Filtres Passe-Bande À Résonateurs Actifs Hyperfréquences en Diverses Technologies MMIC

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Abstract

In this article, two topologies of L-C parallel active resonators are presented. These circuits are realized in MMIC technology, using three transistors which could be MESFET, hemt or HBT. The survey of these resonators shows the possibility, by controling the values of a resistor and/or a capacitor, on the one hand, to tune the resonance frequency of these circuits, and on the other hand, to cancel out their losses so as to obtain negative conductance. Compact, lossless and narrow-band filters are then implemented using previous active resonators. To date, the use of mesfet technology has reduced the synthesis of such active filters in S-band and at X-band low frequencies. Now, however, hemt and HBT technologies allow the extension of their implementation to the whole X-band. This survey is illustrated by the simulated response of a 10 GHz filter with a 500 MHz 3 dB bandwidth. The mmic technology is a 0.2 μm hemt one. The simulated performances of this filter achieve a mean transmission gain of 0. 5 dB, with a reflection loss higher than 10 dB at 10 GHz,

Résumé

Cet article présente deux topologies de résonateurs actifs à circuits LC parallèles trois transistors, en technologie MESFET, HEMT ou HBT. Il montre la possibilité, en agissant sur la valeur d’une résistance et/ou d’une capacité, d’une part de fixer la fréquence de résonance de ces circuits parallèles, et d’autre part de réduire leurs pertes jusqu’à obtenir une conductance négative. Ces résonateurs MMIC sont ensuite utilisés pour synthétiser des réseaux compacts de filtrage en échelle, de bande étroite et sans pertes. Tandis que l’utilisation d’une technologie mmic à base de transistors mesfet avait restreint, jusqu ’à présent, la synthèse de ce type de filtres aux fréquences de la bande S et aux fréquences basses de la bande X, l’emploi de transistors HEMT et HBT permet d’étendre leurs réalisations à toute la bande X. Cette étude est illustrée par la simulation d’un filtre centré sur 10 GHz, de bande passante 500 MHz, réalisé à partir d’une technologie hemt 0,2 [un. La réponse du filtre présente un gain de 0,5 dB et des pertes par retour meilleures que 10 dB dans la bande passante.

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References

  1. Pauker (V.). GaAs monolithic microwave active gyrator.IEEE GaAs IC Symposium (1986), pp. 82-85.

  2. Brucher (A.), Meunier (Ph.), Cenac (C), Jarry (B.), Guillon (P.). Broadband and tunable negative monolithic circuits for microwave active filters compensation.IEEE MTT-S. (1995), pp 745–748.

  3. Moazzam (M. R.), Darvishzadeh (M.). A practical mmic negative resistance structure for X and Ku band applications.IEEE MTT-S, (1996), pp. 157–160.

  4. El Khoury (S.), Le Normand (J. P.), Perichon (R. A.). Conductance négative micro-ondes très large bande en technologie monolithique.Journées Nationales Microondes (Avril 1995), session 5D3.

  5. Hara (T.), Tokumistu (T.), Aikawa (M.). Lossless broadband monolithic microwave active inductor.IEEE Trans. MTT. (Dec. 1989), 37, n°. 12, pp. 1979–1984.

    Article  Google Scholar 

  6. Zhang (G. F.), Villegas (M.I.), Ripoll (C. S.). New broadband tunable monolithic microwave floating active inductor.Electronics Letters (Jan. 1992),. 28, no 1, pp. 78–82.

    Article  Google Scholar 

  7. El Khoury (S.), Le Normand (J. P.), Perichon (R. A.). Les inductances actives microondes. Etudes de quelques possibilitésJournées Nationales Microondes (avril 1995), session 5D4.

  8. El Khoury (S. G.). The design of active floating positive and negative inductors in mmic technology.IEEE Microwave and Guided Wave Letters (Oct. 1995), 5, no 10, pp. 321–323.

    Article  Google Scholar 

  9. El Khoury (S. G.). Nouvelle approche pour concevoir des inductances actives flottantes positives et negatives en technologie mmic.Ann. Telecommunic. (Jan. 1996), 51, no 1-2, pp. 27–28.

    Google Scholar 

  10. Chang (C. Y.), Itoh (T.). Narrowband planar microwave active filter.Electronics Letters. (August 1989), 25, no 18, pp. 1228–1229.

    Article  Google Scholar 

  11. Robertson (I. D.), Karacaoglu (U.). A mmic active bandpass filter with FET negative resistance elements.Microwave Journal (July 1996), pp. 76–85.

  12. Zhang (G. E), Villegas (M.I.), Ripoll (C. S.). Microwave active filter using GaAs monolithic floating active inductor.Microwave and Optical Technology Letters (July 1992), 5,. no 8, pp. 381–388.

    Article  Google Scholar 

  13. Lucyszin (S.), Robertson (I. D.). Monolithic narrow-band filter using ultrahigh-Q tunable active inductors.IEEE Trans. Microwave Theory Tech. (Dec. 1994),42, no 12, pp. 2616–2622.

    Google Scholar 

  14. Cohn (S. R.). Direct coupled resonators filters.Proc. of the IEEE (Feb. 1957), pp. 187–196.

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Simon, H., Normand, JP.L. & Périchon, R.A. Microwave active resonator band-pass filters in various mmic technologies. Ann. Télécommun. 53, 15–22 (1998). https://doi.org/10.1007/BF02997623

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