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SiC-MOSFETs und Si-IGBT-Technologie im Vergleich: Welches Material ist am besten für Traktionsumrichter geeignet?

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e & i Elektrotechnik und Informationstechnik Aims and scope Submit manuscript

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Abb. 1
Abb. 2
Abb. 3
Abb. 4
Abb. 5
Abb. 6
Abb. 7
Abb. 8

Notes

  1. Gemessen bei Raumtemperatur

  2. Bei MPT-IGBT-Technologien ist der Tailstrom fast nicht mehr zu erkennen, bei IGBTs mit 1200 V Sperrspannung ist dieser Strom noch ersichtlich.

  3. Siliziumkarbid-MOSFETs sind temperaturstabiler als Si-MOSFETs. Zum Vergleich: Bei Si-MOSFETs erhöht sich der RDS(on) zwischen 25 °C Chiptemperatur und 150 °C Chiptemperatur ca. um den Faktor 2,2–2,5.

  4. Z. B. FS03R12A6MA1B, ein B6-Brückenmodul mit 1200 V Durchbruchspannung und einem typischen RDS(on) < 3 mΩ.

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Authors and Affiliations

  1. Infineon Technologies AG, Am Campeon 1–15, 85579, Neubiberg, Deutschland

    Bernhard Stiller

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  1. Bernhard Stiller
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Stiller, B. SiC-MOSFETs und Si-IGBT-Technologie im Vergleich: Welches Material ist am besten für Traktionsumrichter geeignet?. Elektrotech. Inftech. 139, 307–314 (2022). https://doi.org/10.1007/s00502-022-01024-1

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