Ein Vergleich von MOS- und MES-Feldeffekttransistoren mit 1 μm Kanallänge für integrierte Gleichstrom-gekoppelte Schaltungen / A comparison of MOS- and M ES-field-effect transistors with 1 μm channel length for integrated dc-coupled circuits

W. Jutzi

doi:10.1524/itit.1972.14.16.19

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Jutzi, W.. "Ein Vergleich von MOS- und MES-Feldeffekttransistoren mit 1 μm Kanallänge für integrierte Gleichstrom-gekoppelte Schaltungen / A comparison of MOS- and M ES-field-effect transistors with 1 μm channel length for integrated dc-coupled circuits" it - Information Technology, vol. 14, no. 1-6, 1972, pp. 19-27. https://doi.org/10.1524/itit.1972.14.16.19

Jutzi, W. (1972). Ein Vergleich von MOS- und MES-Feldeffekttransistoren mit 1 μm Kanallänge für integrierte Gleichstrom-gekoppelte Schaltungen / A comparison of MOS- and M ES-field-effect transistors with 1 μm channel length for integrated dc-coupled circuits. it - Information Technology, 14(1-6), 19-27. https://doi.org/10.1524/itit.1972.14.16.19

Jutzi, W. (1972) Ein Vergleich von MOS- und MES-Feldeffekttransistoren mit 1 μm Kanallänge für integrierte Gleichstrom-gekoppelte Schaltungen / A comparison of MOS- and M ES-field-effect transistors with 1 μm channel length for integrated dc-coupled circuits. it - Information Technology, Vol. 14 (Issue 1-6), pp. 19-27. https://doi.org/10.1524/itit.1972.14.16.19

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