C. Fenouillet--Beranger, S. Denorme, B. Icard, F. Boeuf, J. Coignus, O. Faynot, L. Brevard, C. Buj, C. Soonekindt, J. Todeschini, J. C. Le-Denmat, N. Loubet, C. Gallon, P. Perreau, S. Manakli, B. Mmghetti, L. Pain, V. Arnal, A. Vandooren, D. Aime, L. Tosti, C. Savardi, F. Martin, T. Salvetat, S. Lhostis, C. Laviron, N. Auriac, T. Kormann, G. Chabanne, S. Gaillard, O. Belmont, E. Laffosse, D. Barge, A. Zauner, A. Tarnowka, K. Romanjec, H. Brut, A. Lagha, S. Bonnetier, F. Joly, N. Mayet, A. Cathignol, D. Galpin, D. Pop, R. Delsol, R. Pantel, F. Pionnier, G. Thomas, D. Bensahel, S. Deleombus, T. Skotnicki, H. Mmgam, "Fully-depleted SOI technology using high-k and single-metal gate for 32nm node LSTP applications featuring 0.179 u m2 6T-SRAM bitcell," IEDM Tech. Dig., pp. 267--270,Dec 2007.